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常盤 欣文; 池田 修悟*; 芳賀 芳範; 大久保 智幸*; 飯塚 知也*; 杉山 清寛*; 中村 彰夫; 大貫 惇睦
Journal of the Physical Society of Japan, 71(3), p.845 - 851, 2002/03
被引用回数:40 パーセンタイル:81.12(Physics, Multidisciplinary)自己フラックス法によってUPtGaの純良単結晶を育成し、磁化率,電気抵抗,比熱及びde Haas-van Alphen (dHvA)効果の測定を行った。磁化率と電気抵抗測定によって26Kに反強磁性転位を発見した。dHvA効果の測定では6つのブランチの検出に成功し、二次元フェルミ面の存在を明らかにした。サイクロトロン有効質量は1024と、やや重いことがわかった。比熱測定によって得られた電子比熱係数は=57mJ/Kmolであった。